Samsung, AI çip yarışında öne geçmek için SK Hynix’in teknolojisini benimseyecek
Samsung Electronics, yapay zeka (AI) gücündeki yüksek son çipleri üretme yarışında öne geçmek için rakibi SK Hynix tarafından tercih edilen bir çip yapım teknolojisini kullanmayı planlıyor. Jeneratif AI'nin artan popülaritesiyle birlikte yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) çiplerine olan talep patlama yaptı
Yüksek bant genişliğine sahip bellek (HBM) yongalarına olan talep, üretken yapay zekanın artan popülaritesi ile patlama yaşadı. Ancak Samsung, akranları SK Hynix ve Micron Technology'den farklı olarak, en yeni HBM yongalarını tedarik etmek için AI çip lideri Nvidia ile herhangi bir anlaşma yapmamasıyla dikkat çekiyor.
Kaynaklar, Samsung Electronics'in rakibi SK Hynix tarafından desteklenen bir çip geliştirme teknolojisini kullanmayı planladığını, çünkü dünyanın en iyi bellek yongası üreticisinin yapay zekaya güç sağlamak için kullanılan üst düzey yongalar üretme yarışında yetişmeye çalıştığını açıkladı.
YAPAY ZEKA YARIŞI KIZIŞIYOR
Samsung’un geride kalmasının nedenlerinden biri, üretim sorunlarına yol açan non-konduktif film (NCF) adlı çip yapım teknolojisine bağlı kalması olarak gösteriliyor. Buna karşın, Hynix, NCF’nin zayıflıklarını gidermek için kitle reflow kalıplı underfill (MR-MUF) yöntemine geçti. Ancak analistlere ve endüstri gözlemcilerine göre, Samsung son zamanlarda MUF tekniğini kullanacak çip yapım ekipmanları için satın alma siparişleri verdi.
Kaynaklardan alınan bilgide, “Samsung, HBM (üretim) verimliliğini artırmak zorundaydı… MUF tekniğini benimsemek, Samsung için biraz gururunu yutmak anlamına geliyor çünkü sonunda SK Hynix tarafından ilk kullanılan tekniği takip etmiş oldu" ifadeleri kullanıldı.
Reuters'in aldığı bilgilere yanıt olarak Samsung, NCF teknolojisinin HBM ürünleri için “optimal bir çözüm” olduğunu ve yeni HBM3E çiplerinde kullanılacağını söyledi. Şirketten, “HBM3E ürün işimizi planlandığı gibi yürütüyoruz” açıklaması geldi.
MALZEME ÜRETİCİLERİ İLE GÖRÜŞME HALİNDE
Haberlerin yayınlanmasının ardından Samsung, “Markanın HBM üretimine MR-MUF uygulayacağına dair söylentilerin doğru olmadığı” yönünde bir açıklama yaptı. HBM3 ve HBM3E, jeneratif AI’de büyük miktarda veriyi işlemeye yardımcı olmak için çekirdek mikroişlemci çipleriyle birlikte paketlenen yüksek bant genişliğine sahip bellek çiplerinin en yeni versiyonlarıdır. Birkaç analiste göre, Samsung’un HBM3 çip üretim verimlilik oranları yaklaşık %10-20 civarındadır ve bu oran, HBM3 üretiminde yaklaşık %60-70 verimlilik oranlarına ulaşan SK Hynix’in gerisinde kalıyor.
Bir kaynağa göre, Samsung zaten MUF malzemeleri tedarik etmek için Japonya’nın Nagase (8012.T) dahil olmak üzere malzeme üreticileriyle görüşmeler yapıyor. Ancak, Samsung daha fazla test yapması gerektiği için, MUF kullanılarak üretilen yüksek uçlu çiplerin seri üretiminin en erken gelecek yıl hazır olması beklenmiyor. Yukarıda bahsedilen üç kaynak, Samsung’un en yeni HBM çipi için hem NCF hem de MUF tekniklerini kullanmayı planladığını da söyledi. Tüm kaynaklar, bilginin kamuoyuna açık olmaması nedeniyle anonim şartıyla konuştular. Nvidia ve Nagase yorum yapmayı reddetti. Samsung’un MUF kullanımına yönelik herhangi bir hamlesi, AI çip yarışında karşılaştığı artan baskıyı vurgulayacaktır. Araştırma firması TrendForce’a göre, AI ile ilgili talep nedeniyle HBM çip pazarının bu yıl neredeyse 9 milyar dolara iki katına çıkması bekleniyor.
